STB12NF1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB12NF1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A
Общий заряд затвора (Qg): 172 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): .15 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB12NF1
Корзина
🛒
Корзина пуста
Предзаказ товара
Оформление заказа
Личный кабинет
Мои заказы
Мы используем необходимые cookie для корзины, сессии и работы сайта.
Подробнее —
политика конфиденциальности.
