Транзистор IXFH26N50Q

Описание

Транзистор IXFH26N5Q

Наименование прибора: IXFH26N5Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 5 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 2 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 26 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 95 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): .2 Ohm

Тип корпуса: TO247